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게이트 절연막과 게이트 전극물질의 변화에 따른 피드백 전계효과 트랜지스터의 히스테리시스 특성 확인The hysteresis characteristic of Feedback field-effect transistors with fluctuation of gate oxide and metal gate
- Other Titles
- The hysteresis characteristic of Feedback field-effect transistors with fluctuation of gate oxide and metal gate
- Issue Date
- 2018
- Publisher
- 한국전기전자학회
- Keywords
- Feedback field-effect transistors; feedback mechanism; hysteresis; memory application; high-k; work function
- Citation
- 전기전자학회논문지, v.22, no.2, pp.488 - 490
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전기전자학회논문지
- Volume
- 22
- Number
- 2
- Start Page
- 488
- End Page
- 490
- ISSN
- 1226-7244
- Abstract
- 본 연구에서는 급격한 스위칭 특성을 달성하기 위해 싱글단일-게이트 실리콘 채널에서 전하 캐리어의 양의 피드백을 이용하는 새롭게 설계된 피드백 전계 효과 트랜지스터를 제안한다. 에너지 밴드 다이어그램, I-V 특성, 문턱전압 기울기 및 on/off 전류 비는 TCAD 시뮬레이터를 이용하여 분석한다 [1]. 피드백 전계 효과 트랜지스터의 중요한 특징 중 하나인 히스테리시스의 특성을 보기 위해 게이트 절연막 물질과 게이트 전극물질을 변경하여 시뮬레이션을 진행했다. 이러한 특성변화는 피드백 전계효과 트랜지스터의 문턱전압 (VTH)을 변화시켰고, 메모리 윈도우 폭이 작아지는 현상을 보였다.
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- Appears in
Collections - College of Engineering > School of Electrical Engineering > 1. Journal Articles
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